Name: S2M0080120N
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S2M0080120N-ND
Price: 18.90669 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

S2M0080120N
DigiKey-Teilenr.	1655-S2M0080120N-ND
Hersteller	SMC Diode Solutions
Hersteller-Teilenummer	S2M0080120N
Beschreibung	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 36 A (Tc) 176W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	SMC Diode Solutions
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	36 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	100mOhm bei 20A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 10mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	54 nC @ 20 V
Vgs (Max.)	+20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1324 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	176W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-227
Gehäuse / Hülle	SOT-227-4, miniBLOC