Name: S3M0025120D
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S3M0025120D-ND
Price: 11.09106 CHF
Availability: InStock

Neues Produkt

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S3M0025120D
DigiKey-Teilenr.	1655-S3M0025120D-ND
Hersteller	SMC Diode Solutions
Hersteller-Teilenummer	S3M0025120D
Beschreibung	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 77 A (Tc) 517W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	SMC Diode Solutions
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	77 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	32mOhm bei 48A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 20mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	175 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+22V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3519 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	517W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247AD
Gehäuse / Hülle	TO-247-3

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10	Fr. 7.16100	Fr. 71.61
300	Fr. 5.09610	Fr. 1’528.83

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