Name: S3M0030120K
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S3M0030120K-ND
Price: 9.8371 CHF
Availability: InStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

S3M0030120K
DigiKey-Teilenr.	1655-S3M0030120K-ND
Hersteller	SMC Diode Solutions
Hersteller-Teilenummer	S3M0030120K
Beschreibung	DIODE MOSFETS SILICON CARBIDES 1
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 74 A (Tc) 130W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	SMC Diode Solutions
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	74 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	39ミリオーム @ 40A、18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 16mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	143 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+18V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2844 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	130W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Auf Lager: 180

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in CHF

Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 9.10000	Fr. 9.10
30	Fr. 5.44200	Fr. 163.26
120	Fr. 4.64025	Fr. 556.83
510	Fr. 4.35700	Fr. 2’222.07

Standardverpackung des Herstellers

Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.