BUL416T STMicroelectronics | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BUL416T
DigiKey-Teilenr.	497-10558-5-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	BUL416T
Beschreibung	TRANS NPN 800V 6A TO-220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 800 V 6 A 110 W Durchkontaktierung TO-220
EDA/CAD-Modelle	BUL416T Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren
Herst.	STMicroelectronics
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
Transistor-Typ	NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	6 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	800 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	1,5V bei 1,33A, 4A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	250µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	18 bei 700mA, 5V
Leistung - Max.	110 W
Frequenz - Übergang	-
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Basis-Produktnummer	BUL416