Name: SCT025W120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT025W120G3AG-ND
Price: 17.91217 CHF
Availability: InStock

Neues Produkt

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SCT025W120G3AG
DigiKey-Teilenr.	497-SCT025W120G3AG-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	SCT025W120G3AG
Beschreibung	AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 56 A (Tc) 388W (Tc) Durchkontaktierung HiP247™
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	56 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	37mOhm bei 25A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,2V bei 5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	73 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+18V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1990 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	388W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 200°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	HiP247™
Gehäuse / Hülle	TO-247-3

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30	Fr. 12.74433	Fr. 382.33
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