Name: SCT027HU65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT027HU65G3AG-ND
Price: 7.18865 CHF
Availability: OutOfStock

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SCT027HU65G3AG
DigiKey-Teilenr.	497-SCT027HU65G3AG-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	SCT027HU65G3AG
Beschreibung	SIC MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 60 A (Tc) 300W (Tc) Oberflächenmontage HU3PAK
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	ECOPACK®
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	60 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	39,3mOhm bei 30A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,2V bei 5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	60.4 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+18V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1277 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	300W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	HU3PAK
Gehäuse / Hülle	TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA

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