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GeneSiC Semiconductor
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Datenblatt
TO-247-4
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SCT040W120G3-4

DigiKey-Teilenr.
497-SCT040W120G3-4-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SCT040W120G3-4
Beschreibung
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Standardlieferzeit des Herstellers
17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 40 A (Tc) 312W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
*
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
54mOhm bei 16A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,2V bei 5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
56 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+18V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1329 pF @ 800 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
312W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 200°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-4
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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