
SCT040W120G3-4 | |
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DigiKey-Teilenr. | 497-SCT040W120G3-4-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SCT040W120G3-4 |
Beschreibung | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 17 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1200 V 40 A (Tc) 312W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4 |
Datenblatt | Datenblatt |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | * | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 15V, 18V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 54mOhm bei 16A, 18V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4,2V bei 5mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 56 nC @ 18 V | |
Vgs (Max.) | +18V, -5V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1329 pF @ 800 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 312W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 200°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-247-4 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 12.60000 | Fr. 12.60 |
| 30 | Fr. 7.75167 | Fr. 232.55 |
| 120 | Fr. 6.69025 | Fr. 802.83 |
| 510 | Fr. 6.64951 | Fr. 3’391.25 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 12.60000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 13.62060 |



