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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SCT040W120G3-4 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-SCT040W120G3-4-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SCT040W120G3-4 |
Beschreibung | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1200 V 40 A (Tc) 312W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,2V bei 5mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 56 nC @ 18 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) +18V, -5V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1329 pF @ 800 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 312W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 200°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-4 |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 18V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 54mOhm bei 16A, 18V | Basis-Produktnummer |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 9.71000 | Fr. 9.71 |
| 30 | Fr. 5.82433 | Fr. 174.73 |
| 120 | Fr. 4.97092 | Fr. 596.51 |
| 510 | Fr. 4.38188 | Fr. 2’234.76 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 9.71000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 10.49651 |
