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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SCT040W65G3-4 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-SCT040W65G3-4-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SCT040W65G3-4 |
Beschreibung | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 30 A (Tc) 240W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,2V bei 1mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 37.5 nC @ 18 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) +18V, -5V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 860 pF @ 400 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 240W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 200°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-4 |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 18V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 63mOhm bei 20A, 18V | Basis-Produktnummer |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 9.06000 | Fr. 9.06 |
| 30 | Fr. 5.39667 | Fr. 161.90 |
| 120 | Fr. 4.59358 | Fr. 551.23 |
| 510 | Fr. 4.00549 | Fr. 2’042.80 |
| 1’020 | Fr. 3.99725 | Fr. 4’077.20 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 9.06000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 9.79386 |
