Name: SCT30N120
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-14960-ND
Price: 17.65273 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SCT30N120
DigiKey-Teilenr.	497-14960-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	SCT30N120
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 40 A (Tc) 270W (Tc) Durchkontaktierung HiP247™
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SCT30N120 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Nur verfügbar bis
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	40 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	100mOhm bei 20A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,6V bei 1mA (typisch)
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	105 nC @ 20 V
Vgs (Max.)	+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1700 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	270W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 200°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	HiP247™
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	SCT30

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