
SCTW100N65G2AG | |
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DigiKey-Teilenr. | 497-SCTW100N65G2AG-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SCTW100N65G2AG |
Beschreibung | SICFET N-CH 650V 100A HIP247 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 100 A (Tc) 420W (Tc) Durchkontaktierung HiP247™ |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SCTW100N65G2AG Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 18V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 26mOhm bei 50A, 18V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5V bei 5mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 162 nC @ 18 V | |
Vgs (Max.) | +22V, -10V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 3315 pF @ 520 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 420W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 200°C (TJ) | |
Klasse | Automobiltechnik | |
Qualifizierung | AEC-Q101 | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | HiP247™ | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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1 | Fr. 22.67000 | Fr. 22.67 |
30 | Fr. 18.19100 | Fr. 545.73 |
120 | Fr. 18.00000 | Fr. 2’160.00 |
Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 22.67000 |
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Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 24.50627 |