TO-247-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SCTW100N65G2AG

DigiKey-Teilenr.
497-SCTW100N65G2AG-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SCTW100N65G2AG
Beschreibung
SICFET N-CH 650V 100A HIP247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 100 A (Tc) 420W (Tc) Durchkontaktierung HiP247™
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SCTW100N65G2AG Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
26mOhm bei 50A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
162 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3315 pF @ 520 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
420W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 200°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
HiP247™
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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