Name: SCTW70N120G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTW70N120G2V-ND
Price: 28.14924 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SCTW70N120G2V
DigiKey-Teilenr.	497-SCTW70N120G2V-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	SCTW70N120G2V
Beschreibung	TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 91 A (Tc) 547W (Tc) Durchkontaktierung HiP247™
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SCTW70N120G2V Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	91 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	30mOhm bei 50A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,9V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	150 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3540 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	547W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 200°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	HiP247™
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	SCTW70

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30	Fr. 17.07900	Fr. 512.37
120	Fr. 16.74000	Fr. 2’008.80

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