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Microchip Technology
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Datenblatt
TO-247-3
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TO-247-3
TO-247-3

SCTWA90N65G2V-4

DigiKey-Teilenr.
497-SCTWA90N65G2V-4-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SCTWA90N65G2V-4
Beschreibung
TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
Standardlieferzeit des Herstellers
17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 119 A (Tc) 565W (Tc) Durchkontaktierung HiP247™ lange Anschlüsse
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SCTWA90N65G2V-4 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
24mOhm bei 50A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
157 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3380 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
565W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 200°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
HiP247™ lange Anschlüsse
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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