STB36NM60N STMicroelectronics | Einzelne FETs, MOSFETs

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STB36NM60N
DigiKey-Teilenr.	497-12972-2-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 497-12972-1-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STB36NM60N
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 29 A (Tc) 210W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STB36NM60N Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 83.6 nC @ 10 V
Herst. STMicroelectronics	Vgs (Max.) ±25V
Serie MDmesh™ II	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2722 pF @ 100 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Verlustleistung (max.) 210W (Tc)
Status der Komponente Obsolet	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 29 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 105mOhm bei 14,5A, 10V	Basis-Produktnummer STB36
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA

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Ersatzartikel (8)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
STB37N60DM2AG	STMicroelectronics	1’115	497-16105-1-ND	Fr. 6.42000	Vom Hersteller empfohlen
IPB60R099C6ATMA1	Infineon Technologies	3’220	IPB60R099C6ATMA1CT-ND	Fr. 6.22000	Ähnlich
IPB60R099CPAATMA1	Infineon Technologies	129	448-IPB60R099CPAATMA1CT-ND	Fr. 7.71000	Ähnlich
IPB60R099CPATMA1	Infineon Technologies	519	IPB60R099CPATMA1CT-ND	Fr. 7.16000	Ähnlich
IPB60R125C6ATMA1	Infineon Technologies	2’682	IPB60R125C6ATMA1CT-ND	Fr. 5.21000	Ähnlich

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