Name: STD1NK60-1
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-12782-5-ND
Price: 0.78913 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STD1NK60-1
DigiKey-Teilenr.	497-12782-5-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STD1NK60-1
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	13 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 1 A (Tc) 30W (Tc) Durchkontaktierung IPAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STD1NK60-1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	SuperMESH™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	8,5Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,7V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	156 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	30W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	IPAK
Gehäuse / Hülle	TO-251-3 mit kurzen Pins, IPAK, TO-251AA
Basis-Produktnummer	STD1

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75	Fr. 0.34960	Fr. 26.22
150	Fr. 0.34107	Fr. 51.16
525	Fr. 0.33164	Fr. 174.11
1’050	Fr. 0.31830	Fr. 334.22

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