TO-251 IPAK
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STD2HNK60Z-1

DigiKey-Teilenr.
497-12783-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STD2HNK60Z-1
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Standardlieferzeit des Herstellers
13 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 2 A (Tc) 45W (Tc) Durchkontaktierung TO-251 (IPAK)
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STD2HNK60Z-1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4,8Ohm bei 1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 50µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
280 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
45W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-251 (IPAK)
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Product Questions and Answers

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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 1.42000Fr. 1.42
75Fr. 0.63520Fr. 47.64
150Fr. 0.56947Fr. 85.42
525Fr. 0.47606Fr. 249.93
1’050Fr. 0.43557Fr. 457.35
2’025Fr. 0.40317Fr. 816.42
5’025Fr. 0.36627Fr. 1’840.51
10’050Fr. 0.35700Fr. 3’587.85
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Stückpreis mit MwSt.:Fr. 1.53502