N-Kanal 600 V 4 A (Tc) 70W (Tc) Durchkontaktierung IPAK
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STD4NK60Z-1

DigiKey-Teilenr.
497-19650-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STD4NK60Z-1
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 4 A (Tc) 70W (Tc) Durchkontaktierung IPAK
Datenblatt
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Herst.
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Stange
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2Ohm bei 2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 50µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
510 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
70W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
IPAK
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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