N-Kanal 650 V 10 A (Tc) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FP
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STF10N65K3

DigiKey-Teilenr.
497-12562-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STF10N65K3
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 10 A (Tc) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FP
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STF10N65K3 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 100µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
42 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1180 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FP
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1Ohm bei 3,6A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 955
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Alle Preise in CHF
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 2.04000Fr. 2.04
50Fr. 0.99700Fr. 49.85
100Fr. 0.89560Fr. 89.56
500Fr. 0.71774Fr. 358.87
1’000Fr. 0.66058Fr. 660.58
2’000Fr. 0.61250Fr. 1’225.00
5’000Fr. 0.56051Fr. 2’802.55
10’000Fr. 0.53965Fr. 5’396.50
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 2.04000
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 2.20524