TO-220FP
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STF11N65M2

DigiKey-Teilenr.
497-15034-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STF11N65M2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 7 A (Tc) 25W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FP
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STF11N65M2 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
670mOhm bei 3,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
12.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
410 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FP
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1$ 2.40000$ 2.40
50$ 1.32300$ 66.15
100$ 1.13680$ 113.68
500$ 0.88288$ 441.44
1’000$ 0.79444$ 794.44
2’000$ 0.73665$ 1’473.30
5’000$ 0.69475$ 3’473.75
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