
STF18N65M2 | |
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DigiKey-Teilenr. | 497-STF18N65M2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | STF18N65M2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP |
Standardlieferzeit des Herstellers | 14 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 12 A (Tc) 25W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FP |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | STF18N65M2 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 330mOhm bei 6A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 20 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±25V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 770 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 25W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220FP | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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1 | Fr. 2.24000 | Fr. 2.24 |
50 | Fr. 1.12380 | Fr. 56.19 |
100 | Fr. 1.01520 | Fr. 101.52 |
500 | Fr. 0.83428 | Fr. 417.14 |
Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 2.24000 |
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Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 2.42144 |