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N-Kanal 600 V 19,5 A (Tc) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FP
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STF23NM60ND

DigiKey-Teilenr.
STF23NM60ND-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STF23NM60ND
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 19.5A TO220FP
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 19,5 A (Tc) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FP
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STF23NM60ND Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
FDmesh™ II
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
19,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
180mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2050 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FP
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
STF23
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