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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent


STMicroelectronics
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 2.46240
Datenblatt

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onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
Datenblatt

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IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 8.19420

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Rohm Semiconductor
Vorrätig: 949
Stückpreis : Fr. 4.78000
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Rohm Semiconductor
Vorrätig: 955
Stückpreis : Fr. 5.75000
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Renesas Electronics Corporation
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 4.16000

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 2.10000
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Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 20
Stückpreis : Fr. 6.62000
Datenblatt

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Taiwan Semiconductor Corporation
Vorrätig: 2’000
Stückpreis : Fr. 6.22000
Datenblatt
TO-220FP
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STF40N60M2

DigiKey-Teilenr.
497-14193-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STF40N60M2
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
Standardlieferzeit des Herstellers
14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 34 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FP
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STF40N60M2 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
88mOhm bei 17A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2500 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FP
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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500Fr. 2.00960Fr. 1’004.80
1’000Fr. 1.95500Fr. 1’955.00
Standardverpackung des Herstellers
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