STFI13N60M2 STMicroelectronics | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STFI13N60M2
DigiKey-Teilenr.	497-13950-5-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STFI13N60M2
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 11 A (Tc) 25W (Tc) Durchkontaktierung BIS-281 (I2PAKFP)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STFI13N60M2 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ II Plus
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	380mOhm bei 5,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	580 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	25W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	BIS-281 (I2PAKFP)
Gehäuse / Hülle	TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Basis-Produktnummer	STFI13N

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