STGP10NB60SD STMicroelectronics | Diskrete Halbleiterprodukte

IGBT 600 V 29 A 80 W Durchkontaktierung TO-220

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STGP10NB60SD
DigiKey-Teilenr.	497-STGP10NB60SD-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STGP10NB60SD
Beschreibung	IGBT 600V 29A TO-220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT 600 V 29 A 80 W Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STGP10NB60SD Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	STMicroelectronics
Serie	PowerMESH™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
IGBT-Typ	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	600 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	29 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	80 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	1,75V bei 15V, 10A
Leistung - Max.	80 W
Schaltenergie	600µJ (Ein), 5mJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	33 nC
Td (on/off) bei 25°C	700ns/1,2µs
Testbedingung	480V, 10A, 1kOhm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	37 ns
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Basis-Produktnummer	STGP10

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