STI150N10F7 STMicroelectronics | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STI150N10F7
DigiKey-Teilenr.	497-15015-5-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STI150N10F7
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 110 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-262 (I2PAK)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STI150N10F7 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	STripFET™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	110 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,2mOhm bei 55A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	117 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	8115 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	250W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-262 (I2PAK)
Gehäuse / Hülle	TO-262-3 mit langen Pins, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer	STI150