Name: STI33N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STI33N65M2-ND
Price: 3.80512 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STI33N65M2
DigiKey-Teilenr.	497-STI33N65M2-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STI33N65M2
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 190W (Tc) Durchkontaktierung I2PAK
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ M2
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	24 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	140mOhm bei 12A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	41.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1790 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	190W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	I2PAK
Gehäuse / Hülle	TO-262-3 mit langen Pins, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer	STI33

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Menge

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Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 3.52000	Fr. 3.52
50	Fr. 1.80700	Fr. 90.35
100	Fr. 1.64140	Fr. 164.14
500	Fr. 1.35108	Fr. 675.54
1’000	Fr. 1.25785	Fr. 1’257.85
2’000	Fr. 1.23240	Fr. 2’464.80

Standardverpackung des Herstellers

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