
STP100N10F7 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-13550-5-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | STP100N10F7 |
Beschreibung | MOSFET N CH 100V 80A TO-220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 26 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 100 V 80 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | STP100N10F7 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 8mOhm bei 40A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4,5V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 61 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 4369 pF @ 50 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 150W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.17000 | Fr. 2.17 |
| 50 | Fr. 1.02820 | Fr. 51.41 |
| 100 | Fr. 0.96090 | Fr. 96.09 |
| 500 | Fr. 0.80358 | Fr. 401.79 |
| 1’000 | Fr. 0.71347 | Fr. 713.47 |
| 2’000 | Fr. 0.66287 | Fr. 1’325.74 |
| 5’000 | Fr. 0.63700 | Fr. 3’185.00 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 2.17000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 2.34577 |

