N-Kanal 600 V 10 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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STP11N60DM2

DigiKey-Teilenr.
497-16932-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STP11N60DM2
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 10 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STP11N60DM2 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™ DM2
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nur verfügbar bis
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
10 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
420mOhm bei 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
614 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP11
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100Fr. 0.82160Fr. 82.16
500Fr. 0.65768Fr. 328.84
1’000Fr. 0.60499Fr. 604.99
2’000Fr. 0.56069Fr. 1’121.38
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