
STP11N60DM2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-16932-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | STP11N60DM2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 10A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 16 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 10 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | STP11N60DM2 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 420mOhm bei 5A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 16.5 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±25V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 614 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 110W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.68000 | Fr. 1.68 |
| 50 | Fr. 0.73400 | Fr. 36.70 |
| 100 | Fr. 0.73280 | Fr. 73.28 |
| 500 | Fr. 0.66940 | Fr. 334.70 |
| 1’000 | Fr. 0.61577 | Fr. 615.77 |
| 2’000 | Fr. 0.57067 | Fr. 1’141.34 |
| 5’000 | Fr. 0.53540 | Fr. 2’677.00 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 1.68000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 1.81608 |

