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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
STP11NM80 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-4369-5-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | STP11NM80 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 14 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 800 V 11 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | STP11NM80 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 400mOhm bei 5,5A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 43.6 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1630 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 150W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -65°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 991
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Menge
Alle Preise in CHF
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.58000 | Fr. 3.58 |
| 50 | Fr. 2.63160 | Fr. 131.58 |
| 100 | Fr. 2.60300 | Fr. 260.30 |
| 500 | Fr. 2.30294 | Fr. 1’151.47 |
| 1’000 | Fr. 2.28690 | Fr. 2’286.90 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 3.58000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 3.86998 |
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