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N-Kanal 40 V 80 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STP120N4F6

DigiKey-Teilenr.
497-10962-5-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STP120N4F6
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 40 V 80 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STP120N4F6 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
DeepGATE™, STripFET™ VI
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
80 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4,3mOhm bei 40A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3850 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP120
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STEVAL-ISA165V1

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EVAL BOARD SRK2001 STP120N4F6

STMicroelectronics

Fr. 13.22000