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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
STP18N65M2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-15557-5-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | STP18N65M2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 12A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 18 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 12 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | STP18N65M2 Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 20 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±25V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 770 pF @ 100 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 110W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 330mOhm bei 6A, 10V |
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Alle Preise in CHF
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.70000 | Fr. 2.70 |
| 50 | Fr. 1.35200 | Fr. 67.60 |
| 100 | Fr. 1.22100 | Fr. 122.10 |
| 500 | Fr. 0.99116 | Fr. 495.58 |
| 1’000 | Fr. 0.91733 | Fr. 917.33 |
| 2’000 | Fr. 0.85526 | Fr. 1’710.52 |
| 5’000 | Fr. 0.79357 | Fr. 3’967.85 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 2.70000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 2.91870 |
