Name: STP18N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-15557-5-ND
Price: 2.33496 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STP18N65M2
DigiKey-Teilenr.	497-15557-5-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STP18N65M2
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers	14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 12 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STP18N65M2 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ M2
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	330mOhm bei 6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	770 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	110W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	STP18

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Menge

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 2.16000	Fr. 2.16
50	Fr. 1.19560	Fr. 59.78
100	Fr. 1.17260	Fr. 117.26
500	Fr. 0.95194	Fr. 475.97
1’000	Fr. 0.88102	Fr. 881.02
2’000	Fr. 0.82141	Fr. 1’642.82
5’000	Fr. 0.81560	Fr. 4’078.00

Standardverpackung des Herstellers

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