TO-220-3
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STP20N65M5

DigiKey-Teilenr.
497-13538-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STP20N65M5
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 18A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 18 A (Tc) 130W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STP20N65M5 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
190mOhm bei 9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1345 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
130W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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500Fr. 1.20676Fr. 603.38
1’000Fr. 1.12137Fr. 1’121.37
2’000Fr. 1.07940Fr. 2’158.80
Standardverpackung des Herstellers
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