

STP28N60DM2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-16348-5-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | STP28N60DM2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 21A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 18 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 21 A (Tc) 170W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | STP28N60DM2 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 160mOhm bei 10,5A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 34 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±25V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1500 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 170W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.52000 | Fr. 3.52 |
| 50 | Fr. 1.81260 | Fr. 90.63 |
| 100 | Fr. 1.64680 | Fr. 164.68 |
| 500 | Fr. 1.35674 | Fr. 678.37 |
| 1’000 | Fr. 1.26357 | Fr. 1’263.57 |
| 2’000 | Fr. 1.24218 | Fr. 2’484.36 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 3.52000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 3.80512 |

