STP6N120K3 STMicroelectronics | Diskrete Halbleiterprodukte

STP6N120K3 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STP6N120K3
DigiKey-Teilenr.	497-12123-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STP6N120K3
Beschreibung	MOSFET N-CH 1200V 6A TO220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 6 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STP6N120K3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	SuperMESH3™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,4Ohm bei 2,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1050 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	150W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	STP6N