
STQ1NK80ZR-AP | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-6197-1-ND - Gurtabschnitt (CT) 497-6197-3-ND - Band & Box (TB) |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | STQ1NK80ZR-AP |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 15 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 800 V 300mA (Tc) 3W (Tc) Durchkontaktierung TO-92-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | STQ1NK80ZR-AP Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB) | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 16Ohm bei 500mA, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4,5V bei 50µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 7.7 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 160 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 3W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-92-3 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.00000 | Fr. 1.00 |
| 10 | Fr. 0.62500 | Fr. 6.25 |
| 100 | Fr. 0.41220 | Fr. 41.22 |
| 500 | Fr. 0.32082 | Fr. 160.41 |
| 1’000 | Fr. 0.29140 | Fr. 291.40 |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 2’000 | Fr. 0.26665 | Fr. 533.30 |
| 4’000 | Fr. 0.24584 | Fr. 983.36 |
| 6’000 | Fr. 0.23523 | Fr. 1’411.38 |
| 10’000 | Fr. 0.22331 | Fr. 2’233.10 |
| 14’000 | Fr. 0.21880 | Fr. 3’063.20 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 1.00000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 1.08100 |


