STU10NM65N STMicroelectronics | Diskrete Halbleiterprodukte

STU10NM65N ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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STMicroelectronics

Vorrätig: 833

Stückpreis : Fr. 2.77000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STU10NM65N
DigiKey-Teilenr.	STU10NM65N-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STU10NM65N
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 9A IPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 9 A (Tc) 90W (Tc) Durchkontaktierung IPAK
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ II
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	9 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	480mOhm bei 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	850 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	90W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	IPAK
Gehäuse / Hülle	TO-251-3 mit kurzen Pins, IPAK, TO-251AA
Basis-Produktnummer	STU10N