STU3LN62K3 STMicroelectronics | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STU3LN62K3
DigiKey-Teilenr.	497-12361-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STU3LN62K3
Beschreibung	MOSFET N-CH 620V 2.5A IPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 620 V 2,5 A (Tc) 45W (Tc) Durchkontaktierung TO-251 (IPAK)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STU3LN62K3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	SuperMESH3™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	620 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	2,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3Ohm bei 1,25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 50µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	386 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	45W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-251 (IPAK)
Gehäuse / Hülle	TO-251-3 mit kurzen Pins, IPAK, TO-251AA
Basis-Produktnummer	STU3L