N-Kanal 600 V 5 A (Tc) 60W (Tc) Durchkontaktierung TO-251 (IPAK)
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STU7N60M2

DigiKey-Teilenr.
497-13979-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STU7N60M2
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 5 A (Tc) 60W (Tc) Durchkontaktierung TO-251 (IPAK)
Datenblatt
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Herst.
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Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
950mOhm bei 2,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
8.8 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
271 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-251 (IPAK)
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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