TO-247-3 HiP
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STW10NK80Z

DigiKey-Teilenr.
497-3254-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STW10NK80Z
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 800 V 9 A (Tc) 160W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STW10NK80Z Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
900mOhm bei 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2180 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
160W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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510Fr. 1.93229Fr. 985.47
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