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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent


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Vorrätig: 0
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IXYS
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Vorrätig: 1’106
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Vorrätig: 58
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Taiwan Semiconductor Corporation
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Taiwan Semiconductor Corporation
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Datenblatt
TO-247-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TO-247-3

STW56N60DM2

DigiKey-Teilenr.
497-16341-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STW56N60DM2
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 50A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 50 A (Tc) 360W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STW56N60DM2 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
60mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4100 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
360W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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