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STW58N65DM2AG | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-16137-5-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | STW58N65DM2AG |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 48A TO247 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 20 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 48 A (Tc) 360W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | STW58N65DM2AG Modelle |
Kategorie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 88 nC @ 10 V |
Herst. | Vgs (Max.) ±25V |
Serie | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4100 pF @ 100 V |
Verpackung Stange | Verlustleistung (max.) 360W (Tc) |
Status der Komponente Aktiv | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
FET-Typ | Klasse Automobiltechnik |
Technologie | Qualifizierung AEC-Q101 |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-3 |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 65mOhm bei 24A, 10V | Basis-Produktnummer |
Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFH60N65X2 | IXYS | 5’072 | 238-IXFH60N65X2-ND | Fr. 10.78000 | Ähnlich |
| IXTH48N65X2 | IXYS | 450 | IXTH48N65X2-ND | Fr. 9.26000 | Ähnlich |
| IXTH52N65X | IXYS | 0 | IXTH52N65X-ND | Fr. 6.89067 | Ähnlich |
| IXTH62N65X2 | IXYS | 350 | IXTH62N65X2-ND | Fr. 10.54000 | Ähnlich |
| SIHW47N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 460 | SIHW47N60EF-GE3-ND | Fr. 8.85000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 600 | Fr. 4.65122 | Fr. 2’790.73 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 4.65122 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 5.02797 |






