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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
STW65N65DM2AG | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-16127-5-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | STW65N65DM2AG |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 60A TO247 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 20 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 60 A (Tc) 446W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | STW65N65DM2AG Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 120 nC @ 10 V |
Herst. | Vgs (Max.) ±25V |
Serie | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5500 pF @ 100 V |
Verpackung Stange | Verlustleistung (max.) 446W (Tc) |
Status der Komponente Aktiv | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
FET-Typ | Klasse Automobiltechnik |
Technologie | Qualifizierung AEC-Q101 |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-3 |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 50mOhm bei 30A, 10V | Basis-Produktnummer |
Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA |
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Alle Preise in CHF
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 8.82000 | Fr. 8.82 |
| 30 | Fr. 5.23967 | Fr. 157.19 |
| 120 | Fr. 4.45550 | Fr. 534.66 |
| 510 | Fr. 3.88114 | Fr. 1’979.38 |
| 1’020 | Fr. 3.85751 | Fr. 3’934.66 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 8.82000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 9.53442 |
