Name: STW65N65DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-16127-5-ND
Price: 9.14526 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STW65N65DM2AG
DigiKey-Teilenr.	497-16127-5-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STW65N65DM2AG
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 60 A (Tc) 446W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STW65N65DM2AG Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ DM2
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	60 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	50mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	120 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5500 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	446W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-3
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	STW65

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30	Fr. 4.67967	Fr. 140.39
120	Fr. 4.27625	Fr. 513.15
510	Fr. 4.06804	Fr. 2’074.70

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