N-Kanal 650 V 35 A (Tc) 210W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 650 V 35 A (Tc) 210W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
TO-247-3 HiP

STWA45N65M5

DigiKey-Teilenr.
497-13596-5-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STWA45N65M5
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 35 A (Tc) 210W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STWA45N65M5 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™ V
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
35 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
78mOhm bei 17,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3470 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
210W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Basis-Produktnummer
STWA45
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