Name: STWA72N60DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STWA72N60DM2AG-ND
Price: 5.50078 CHF
Availability: OutOfStock

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Parametrisches Äquivalent

STW70N60DM2

STMicroelectronics

Vorrätig: 184

Stückpreis : Fr. 8.80000

Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

STW72N60DM2AG

STMicroelectronics

Vorrätig: 608

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STWA72N60DM2AG
DigiKey-Teilenr.	497-STWA72N60DM2AG-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STWA72N60DM2AG
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 66A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 66 A (Tc) 446W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 lange Anschlüsse
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STWA72N60DM2AG Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	66 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	42mOhm bei 33A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	121 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5508 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	446W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247 lange Anschlüsse
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	STWA72

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