Name: TSM900N06CW RPG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM900N06CWRPGTR-ND
Price: 0.45402 CHF
Availability: InStock

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TSM900N06CW RPG
DigiKey-Teilenr.	TSM900N06CWRPGTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TSM900N06CWRPGCT-ND - Gurtabschnitt (CT) TSM900N06CWRPGDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Taiwan Semiconductor Corporation
Hersteller-Teilenummer	TSM900N06CW RPG
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 6 A (Tc) 7,8W (Tc) Oberflächenmontage SOT-223
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TSM900N06CW RPG Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Taiwan Semiconductor Corporation
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	90mOhm bei 3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	525 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	7,8W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-223
Gehäuse / Hülle	TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer	TSM900

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