Name: CSD17576Q5BT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-CSD17576Q5BTTR-ND
Price: 1.64312 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

CSD17576Q5BT
DigiKey-Teilenr.	296-CSD17576Q5BTTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 296-CSD17576Q5BTCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 296-CSD17576Q5BTDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Texas Instruments
Hersteller-Teilenummer	CSD17576Q5BT
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 100 A (Ta) 3,1W (Ta), 125W (Tc) Oberflächenmontage 8-VSONP (5x6)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	CSD17576Q5BT Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	100 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,8V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	32 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4430 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,1W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-VSONP (5x6)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	CSD17576Q5