Name: CSD18535KTT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-48121-2-ND
Price: 3.11328 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

CSD18535KTT
DigiKey-Teilenr.	296-48121-2-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 296-48121-1-ND - Gurtabschnitt (CT) 296-48121-6-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Texas Instruments
Hersteller-Teilenummer	CSD18535KTT
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 200 A (Ta) 300W (Tc) Oberflächenmontage BIS-263 (DDPAK-3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	CSD18535KTT Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	200 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6620 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	300W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	BIS-263 (DDPAK-3)
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	CSD18535