Name: CSD19536KTTT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-41136-2-ND
Price: 6.33466 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

CSD19536KTTT
DigiKey-Teilenr.	296-41136-2-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 296-41136-1-ND - Gurtabschnitt (CT) 296-41136-6-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Texas Instruments
Hersteller-Teilenummer	CSD19536KTTT
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 200 A (Ta) 375W (Tc) Oberflächenmontage BIS-263 (DDPAK-3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	CSD19536KTTT Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	200 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,4mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	153 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	12000 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	375W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	BIS-263 (DDPAK-3)
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	CSD19536