Name: CSD19538Q2R
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-CSD19538Q2RTR-ND
Price: 0.30029 USD
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

CSD19538Q2R
DigiKey-Teilenr.	296-CSD19538Q2RTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Texas Instruments
Hersteller-Teilenummer	CSD19538Q2R
Beschreibung	100-V, N CHANNEL NEXFET POWER MO
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 4,6A (Ta), 13,1A (Tc) 2,5W (Ta), 20,2W (Tc) Oberflächenmontage 6-WSON (2x2)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,6A (Ta), 13,1A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	59mOhm bei 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,8V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	5.6 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	454 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 20,2W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	6-WSON (2x2)
Gehäuse / Hülle	6-WDFN mit freiliegendem Pad