CSD25303W1015 Texas Instruments | Diskrete Halbleiterprodukte

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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz

Texas Instruments

Vorrätig: 2’664

Stückpreis : Fr. 0.63000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

CSD25303W1015
DigiKey-Teilenr.	296-28317-2-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Texas Instruments
Hersteller-Teilenummer	CSD25303W1015
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 3 A (Tc) 1,5W (Ta) Oberflächenmontage 6-DSBGA (1x1,5)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	CSD25303W1015 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,8V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	58mOhm bei 1,5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	4.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	435 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,5W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	6-DSBGA (1x1,5)
Gehäuse / Hülle	6-UFBGA, DSBGA
Basis-Produktnummer	CSD2530