Name: GT50N322A
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-GT50N322A-ND
Price: 4.78883 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GT50N322A
DigiKey-Teilenr.	264-GT50N322A-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	GT50N322A
Beschreibung	IGBT 1000V 50A TO-3P
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT 1000 V 50 A 156 W Durchkontaktierung TO-3P(N)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1000 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	50 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	120 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,8V bei 15V, 60A
Leistung - Max.	156 W
Schaltenergie	-
Eingangstyp	Standard
Td (on/off) bei 25°C	-
Testbedingung	-
Umkehrerholungszeit (trr)	800 ns
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-3P-3, SC-65-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-3P(N)

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Menge

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 4.43000	Fr. 4.43
50	Fr. 2.32940	Fr. 116.47
100	Fr. 2.12660	Fr. 212.66
500	Fr. 1.77114	Fr. 885.57
1’000	Fr. 1.75000	Fr. 1’750.00

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